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| Artikel | Min | Max | Einheit |
| Vin,EN,Spannung | -0.3 | 18 | V |
| Betriebstemperaturbereich | -40 | +85 | ℃ |
| FB-Spannungen | -0.3 | 6 | V |
| Blei-Temperatur (Löten, 10s) | +260 | ℃ | |
| SW Spannung | -0.3 | VIN+0,5 | V |
| Temperaturbereich bei Lagerung | -55 | 150 | ℃ |
| BS Spannung | Vsw-0,3 | Vsw+5 | V |
| ESD(Maschinengefertigt)MM | ±250 | V | |
| ESD(Human Body Made)HBM | ±4 | KV | |
| Verriegelung | ±200 | mA | |
| Wärmewiderstand (θJA) | 105 | ℃/W | |
| Wärmewiderstand(θJC) | 55 | ℃/W |
Hinweis 1: Das Überschreiten dieser Werte kann das Gerät beschädigen.
Hinweis 2: Es wird nicht garantiert, dass das Gerät außerhalb seiner Betriebsbedingungen funktioniert.
Elektrische Eigenschaften(1) (2)
VIN=12V，TA=25°C, sofern nicht anders angegeben.
| Parameter | Testbedingungen | Min | Typ | Max | Einheit |
| Eingangsspannungsbereich | 3.5(3) | 16 | V | ||
| Versorgungsstrom (Ruhestrom) | VDE=3.0V | 0.6 | 0.8 | mA | |
| Versorgungsstrom (Shutdown) | VIN=5V, EN=GND | 10 | µA | ||
| VIN=12V, EN=GND | 24 | µA | |||
| Rückkopplungsspannung | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| High-Side-Schalter Ein-Widerstand Low-Side-Schalter Auf-Widerstand | ISW=100mA | 110 | 120 | mΩ | |
| ISW=-100mA | 70 | 80 | mΩ | ||
| Obere Schalterstromgrenze | 2.5 | 3 | 3.5 | A | |
| Über Spannungs Schutz Schwellenwert | 18.6 | 19.5 | V | ||
| Schalthäufigkeit | 400 | 500 | 600 | KHz | |
| Maximale Einschaltdauer | VFB=90% | 97 | % | ||
| Minimum On-Time | 65 | 72 | 110 | nS | |
| EN Ansteigender Schwellenwert | 3.3 | V | |||
| DE Fallende Schwelle | 1.0 | V | |||
| Unterspannungs- Sperrung Schwellenwert | Wake up VIN Spannung | 3.5 | 3.8 | V | |
| Sanfter Start | 4.0 | mS | |||
| Thermische Abschaltung | 150 | 160 | ℃ | ||
| Thermische Hysterese | 30 | ℃ |
Anmerkung (1): MOSFET-Einschaltwiderstandsspezifikationen werden durch Korrelation mit Messungen auf Wafer-Ebene garantiert. Anmerkung (2): Die Spezifikationen für die thermische Abschaltung werden durch Korrelation mit dem Design und der Kennlinienanalyse gewährleistet.
Anmerkung (3): Wenn die Versorgungsspannung zwischen 3,5V und 4,5V liegt, wird der Ausgangsstrom des Chips begrenzt. Unter der Bedingung, dass die Anforderungen an einen niedrigen Dropout erfüllt werden, beträgt der maximale Ausgangsstrom des Chips etwa 1,5 A.
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