特徴
| アプリケーション
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特徴
| アプリケーション
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| 項目 | マックス | 単位 |
| Vin、EN、SW電圧 | -0.3～ 32 | V |
| リードはんだ、温度（10秒） | +260 | °C |
| 動作接合部温度 | -40～+150 | °C |
| 電力損失(3) | 内部制限 | |
| FB、BS電圧 | -0.3~6 | V |
| 保存温度 | -55～+150 | °C |
| ESD（人体モデル、HMB） | 2 | キロボルト |
| 熱抵抗（RθJC) | 55 | °C/W |
| 熱抵抗（RθJA) | 105 | °C/W |
注(1)：定格を超えると故障の原因となります。
注（2）：本装置は使用条件以外での動作を保証するものではありません。
注(3)：最大許容損失電力は、最大ジャンクション温度TJ(MAX)接合部対周囲熱抵抗RθJAと周囲温度TA.最大許容値 任意の周囲温度における許容損失は、以下のように計算される：PD (MAX) = (TJ(MAX) - TA)/RθJA.許容最大消費電力を超えるとダイ温度が上昇し、レギュレータはサーマルシャットダウンに入ります。内部サーマルシャットダウン回路はデバイスを永久的な損傷から保護します。サーマルシャットダウンは TJ=160℃（代表値）で解除される。J= 140℃（代表値）。
| パラメータ | テスト条件 | 最小 | タイプ | マックス | 単位 |
| 入力電圧範囲 | 4.5 | — | 28 | V | |
| 供給電流 （静寂） | VEN=3.0V | — | 0.3 | 0.8 | mA |
| 供給電流 (シャットダウン） | VEN =0 または EN=GND | — | — | 25 | uA |
| フィードバック電圧 | 0.585 | 0.600 | 0.615 | V | |
| ハイサイドスイッチ オン・レジスタンス | ISW=100mA | — | 100 | — | mΩ |
| ローサイド・スイッチ オン・レジスタンス | ISW=-100mA | — | 50 | — | mΩ |
| バレー・スイッチ 電流制限 | 3.5 | — | — | A | |
| 過電圧 保護しきい値 | — | 28.5 | — | V | |
| スイッチング 頻度 | — | 500 | — | KHz | |
| 最大負荷 サイクル | Vin=12V,Vfb=0.5V | — | 92 | — | % |
| 最低オフタイム | Vin=28V、Vout=1.0V、 Iout=1.0A | — | 105 | — | nS |
| EN上昇スレッショルド | 1.4 | — | — | V | |
| EN 落下 しきい値 | — | — | 0.5 | V | |
| 低電圧ロックアウトしきい値 | ウェイクアップVIN電圧 | — | 3.8 | 4.2 | V |
| シャットダウンVIN電圧 | 3.0 | 3.4 | — | V | |
| ヒステリシスVIN電圧 | — | 400 | — | mV | |
| ソフトスタート | — | 1.5 | — | ms | |
| サーマルシャットダウン | — | 160 | — | ℃ | |
| 熱ヒステリシス | — | 20 | — | ℃ |
注(1)：MOSFETのオン抵抗仕様は、ウェーハレベルの測定値との相関により保証される。
注(2)：サーマルシャットダウン仕様は、設計・特性解析との相関により保証しています。
