STT-MRAM

Поиск

Каталоги продукции

PM002MNxB

PM002 - это микросхема STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) с интерфейсом SPI (Serial Single-Wire) емкостью 2M Bit/256K Byte. Ее данные энергонезависимы, а время хранения превышает 10 лет. Микросхема поддерживает независимые 1-битные интерфейсы SI (Serial Input) и SO (Serial Output), позволяет непрерывно записывать и считывать байты данных на максимальной тактовой частоте и характеризуется нулевой задержкой записи.

PM004MNIB

PM004 - это микросхема STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory) с интерфейсом SPI (Serial Single-Wire) емкостью 4M Bit/512K Byte. Ее данные энергонезависимы, а время хранения превышает 10 лет. Микросхема поддерживает независимые 1-битные интерфейсы SI (Serial Input) и SO (Serial Output), позволяет непрерывно записывать и считывать байты данных на максимальной тактовой частоте и характеризуется нулевой задержкой записи.

PM004MNEB

PN256KNIA

PN256K - это энергонезависимая память с интерфейсом IIC емкостью 256K бит/32K байт. Она использует передовую технологию PMTJ STT-MRAM для достижения скорости чтения и записи до 400 кГц, обладает превосходной надежностью и более чем 20-летним сроком хранения данных.

PM002MNI

Новая энергонезависимая магнитная память MRAM - идеальное устройство для энергонезависимого кэша и основной памяти. Перспективы применения не ограничиваются традиционной компьютерной системой хранения данных, но также могут быть распространены на многие другие области, и даже ожидается, что MRAM станет памятью общего назначения. MRAM гарантирует, что данные не будут потеряны в случае сбоя питания, и может предотвратить повреждение данных, вызванное лучами. В новых приложениях, таких как Интернет вещей и большие данные, вездесущие сенсорные терминалы должны собирать огромное количество данных. Для экономии энергии хранения данных MRAM стала популярным кандидатом благодаря своей относительно хорошей производительности.