PN256KNIA

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Breve descripción:

La PN256K es una memoria no volátil con interfaz IIC de 256K Bit/32K Byte. Adopta la avanzada tecnología PMTJ STT-MRAM para lograr una transmisión de lectura y escritura de hasta 400 kHz, con una excelente fiabilidad y más de 20 años de tiempo de retención de datos.

Etiquetas: Componente activo, Anolog IC, componente electrónico, Circuitos integrados, STT-MRAM

Detalle del producto

Características :

PMTJ STT-MRAM tecnología

Tecnología STT
256K Bit/32KByte

CII interfaz

Admite modo estándar (100 kHz) y modo rápido (400 kHz)
Disparador Schmitt y filtro de supresión de ruido para SDA ySCL
Tiempo de escritura rápido (100nsmin)

Tensión de funcionamiento

Tensión típica Vcc7V~3,6V

Funcionamiento Rango de temperatura

-40℃~85℃

Protección de datos

Admite el modo de protección contra escritura por hardware para una capacidad total, configurable medianteWP

Consumo de energía

Corriente de reposo 2μA (valor típico)
Corriente de espera 20μA (valor típico)
Corriente de trabajo 400μA (corriente de escritura típica @400KHz)

Fiabilidad

Escribir veces1E12
Conservación de datos >20años@85℃

Paquete

SOP8

Tabla de parámetros

Máximo absoluto Clasificación

Símbolo	Parámetro	Prueba Condiciones	Valor	Unidad
VCC	Suministro de tensión		0 a 3,6	V
Vin	Tensión en cualquier pin		0 a 3,6	V
Iout	Corriente de salida por pin		±3	mA
Tbias	Temperatura bajo polarización		-40 a 85	℃
Tstg	Temperatura de almacenamiento		-55 a 125	℃
Tlead	Temperatura del plomo durante la soldadura( 3mins max)		260	℃
Hmax escribir	Campo magnético máximo durante la escritura*1	Escriba a	4,000	A/m
Hmax leer	Campo magnético máximo durante la lectura o espera*1	Lectura o espera	12,000	A/m
Hmax apagado	Campo magnético máximo durante la desconexión*1	Apagar	45,000	A/m

Nota:

Las condiciones de ensayo son temperatura ambiente y exposición a un campo magnético vertical durante un mes para medir la capacidad antimagnética.

Eléctrico Características

Este capítulo presenta las características eléctricas del chip. Los valores de los parámetros de CA y CC que se muestran en la siguiente tabla se obtienen a partir de las condiciones de funcionamiento que se muestran en la Tabla 4 y las condiciones de medición marcadas en la Tabla 5. Cuando los usuarios comprueben un parámetro, presten atención a que coincidan las condiciones de funcionamiento y las condiciones de medición.

Funcionamiento Condiciones

Símbolo	Parámetro	Min	Max	Unidad
VCC	Suministro de tensión	2.7	3.6	V
Impuesto	Temperatura de funcionamiento	-40	85	℃

DC característica

Símbolo	Parámetro	Condiciones de la prueba	Min	Tipo.	Max	Unidad
\|I_LI\|	Corriente de fuga de entrada *1	V_EN=0V~VCC			1	μA
\|I_LO\|	Corriente de fuga de salida*2	V_OUT=0 V~VCC			1	μA
I_SLP	Corriente de sueño	SCL、SDA=VCC, A0、A1、A2、WP=0V		2	6	μA
I_SBY	Corriente de espera	SCL、SDA= VCC , AO、A1、A2、WP =0Vo VCC o flotante*3		20	35	μA
I_CC	Corriente activa	SCL=400KHz		400	600	μA
V_IL	Baja tensión de entrada	VCC=2,7V~3,6V	VSS		VCC*0,2	V
V_IH	Alta tensión de entrada	VCC=2,7V~3,6V	VCC*0,8		VCC+0,3	V
V_OL	Baja tensión de salida	I_OL=3mA			VCC*0,2	V
R_EN	Resistencia de entrada(WP、A0、 A1、A2 )	V_EN=V_IL(Max)	50			kΩ
R_EN	Resistencia de entrada(WP、A0、 A1、A2 )	V_EN= V_IH(Min)	1			MΩ

Notas:

Aplicable a SCL y SDA
Aplicable a SDA
Además del estado del nivel del pin en la tabla, las condiciones de prueba del modo de suspensión también deben garantizar que el tiempo de medición es posterior a la condición de parada, y no se puede medir cuando la instrucción está a medio camino

Capacidad de la clavija

Símbolo	Parámetro	Max	Unidad
C_EN	Capacitancia de entrada de control	15	pF
C_IO	Capacidad IO	15	pF

CA Características

Símbolo	Parámetro	100 kHz		400 kHz		Unidad
Símbolo	Parámetro	Min	Max	Min	Max	Unidad
t_CLK	Período CLK	10		2.5		μs
tHIGH	Reloj alto	4		0.6		μs
t_BAJA	Reloj bajo	4.7		1.3		μs
t_R	Tiempo de subida SCL, SDA		1000		300	ns
t_F	Tiempo de caída SCL, SDA		300		300	ns
tHD:STA	Tiempo de mantenimiento de la condición de arranque	4		0.6		μs
tSU:STA	Tiempo de preparación de la condición de inicio	4.7		0.6		μs
tHD:DAT	Tiempo de retención de entrada de datos	2		2		ns
tSU:DAT	Tiempo de preparación de la entrada de datos	250		100		ns
tDH:DAT	Tiempo de retención de la salida de datos	0		0		ns
tSU:STO	Tiempo de establecimiento de la condición de parada	4		0.6		μs
t_AA	SCL nivel bajo a salida de datos válida		3		0.9	μs
t_BUF	Tiempo de precarga (intervalo entre la condición de parada y la condición de arranque)	4.7		1.3		μs

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