Özellikler
| Uygulamalar
|
Blog
Özellikler
| Uygulamalar
|
| Öğe | Min | Maksimum | Birim |
| VIN gerilimi(1) | -0.3 | 6.0 | V |
| VOUT gerilimi (1) | -0.3 | 5.5 | V |
| Sürekli Güç Tüketimi (TA = 25°C) (2) | 0.4 | W | |
| Güç dağılımı | Dahili Olarak Sınırlı | ||
| Çalışma bağlantı sıcaklığı, TJ | -40 | 125 | °C |
| Depolama sıcaklığı, Tstg | -65 | 150 | °C |
| Kurşun Sıcaklığı (Lehimleme, 10sn.) | 260 | °C | |
| Sembol | Parametre | Max. | Birim |
| θJA | Termal Direnç(3) | 170 | ℃/W |
| θJC | 75 | ℃/W |
Not (1): Bu değerlerin aşılması cihaza zarar verebilir.
Not (2): İzin verilen maksimum güç dağılımı, maksimum bağlantı sıcaklığının bir fonksiyonudur TJ(MAX), bağlantı noktası-ortam termal direnci θJAve ortam sıcaklığı TA. Herhangi bir ortam sıcaklığında izin verilen maksimum sürekli güç dağılımı PD(MAX)=(TJ(MAX)-TA)/θJA. İzin verilen maksimum güç dağılımının aşılması aşırı kalıp sıcaklığına neden olacak ve regülatör termal kapanmaya girecektir. Dahili termal kapatma devresi cihazı kalıcı hasardan korur.
Not (3): JESD51-7, 4 katmanlı PCB üzerinde ölçülmüştür.
VİÇİNDE=5V，TAAksi belirtilmedikçe =25°C.
| Parametre | Test Koşulları | Min | Tip | Maksimum | Birim |
| Giriş Gerilim Aralığı | 2.7 | 5.5 | V | ||
| Giriş aşırı gerilim koruması | 5.8 | 6 | 6.5 | V | |
| Sessiz akım, IQ | VİÇİNDE =5.0V | 20 | 40 | 60 | µA |
| Kapatma akımı, IKAPALI | VİÇİNDE =5.0V, VCE =0 | 0.1 | 2.0 | µA | |
| Giriş gerilimi UVLO | Yükseliyor | 2.55 | 2.65 | V | |
| Düşüyor | 2.25 | 2.37 | V | ||
| Geri Besleme Gerilimi | VİÇİNDE =5.0V | 0.588 | 0.6 | 0.612 | V |
| Çıkış akım limiti | VİÇİNDE = 5.0V, VDIŞARI = 3.3V | 1 | 1.2 | A | |
| Hat düzenlemesi | VİÇİNDE = 3 ila 5,0V | 0.2 | %/V | ||
| Yük düzenlemesi | IDIŞARI= 0.1 - 1A | 0.1 | 2 | %/A | |
| Anahtarlama frekansı | VİÇİNDE =5.0V | 1 | 1.5 | 2 | MHz |
| AÇIK direnç PMOS | VİÇİNDE =5.0V | 0.38 | Ω | ||
| AÇIK direnç NMOS | VİÇİNDE =5.0V | 0.25 | Ω | ||
| CE giriş eşiği AÇIK | VİÇİNDE =5.0V | 0.9 | 1.1 | V | |
| CE giriş eşiği KAPALI | VİÇİNDE =5.0V | 0.4 | 0.7 | V | |
| CE girişi aşağı çekme direnci | 750 | kΩ | |||
| Çıkış deşarj direnci, Rpd | VİÇİNDE =5.0V | 600 | Ω | ||
| Aşırı sıcaklık koruması | 150 | ℃ | |||
| OTP histerezis | 40 | ℃ |
Shanghai Siproin
Microelectronics Co., Ltd.
İletişiminize hoş geldiniz.
